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多年來，郝躍院士奮斗在教學和科研第一線，長期從事新型寬禁帶半導體材料和器件、微納米半導體器件與高可靠集成電路等方面的科學研究與人才培養(yǎng)工作。自上世紀九十年代起，他開始研究第三代（寬禁帶）半導體材料與器件，是我國第三代半導體電子學領域的開拓者和引領者。在氮化鎵∕碳化硅第三代(寬禁帶)半導體功能材料和微波器件、半導體短波長光電材料與器件研究和推廣、微納米CMOS器件可靠性與失效機理研究等方面取得了一系列創(chuàng)新成果。創(chuàng)建了我國第三代半導體氮化鎵外延生長、器件結構以及制造工藝的理論與技術體系，實現(xiàn)了我國第三代半導體從核心設備、材料到器件的重大創(chuàng)新，并使我國在氮化物第三代半導體電子器件步入國際領先行列。

郝躍院士簡介：

郝躍，安徽省阜陽人，1958年3月生于重慶市。微電子學專家，微電子學與固體電子學博士生導師。1982年畢業(yè)于西安電子科技大學半導體物理與器件專業(yè)，1991年在西安交通大學計算數(shù)學專業(yè)獲博士學位。現(xiàn)任九三學社第十四屆中央委員會常委和九三學社陜西省委主委、中國電子學會副理事長、國際IEEE學會高級會員。2013年當選中國科學院院士。

郝躍自上世紀九十年代開始從事新型寬禁帶半導體材料和器件、微納米半導體器件與高可靠集成電路等方面的科學研究與人才培養(yǎng)，開拓和引領了我國第三代（寬禁帶）半導體電子材料與器件的發(fā)展，攻克研制出高質量材料生長的設備，實現(xiàn)了最高效率的氮化鎵微波功率器件、最高亮度的深紫外氮化鎵LED器件，創(chuàng)建了我國第三代半導體氮化鎵外延生長、器件結構以及制造工藝的理論與技術體系，使我國在氮化物第三代半導體電子器件步入國際領先行列。